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當(dāng)前位置:網(wǎng)站首頁產(chǎn)品展示安徽天康電纜核電站用電纜 > HKRJE--K3HKYJGE-K3HKYJGEP-K3核電站用1E級K3類交聯(lián)聚烯烴絕緣,聚烯烴護(hù)套低煙無鹵阻燃控制電纜。
核電站用1E級K3類交聯(lián)聚烯烴絕緣,聚烯烴護(hù)套低煙無鹵阻燃控制電纜。

核電站用1E級K3類交聯(lián)聚烯烴絕緣,聚烯烴護(hù)套低煙無鹵阻燃控制電纜。

簡要描述:本產(chǎn)品適用于核電站以及其他特種領(lǐng)域(即對產(chǎn)品有電氣性能、壽命周期、低鹵、無鹵、阻燃特殊要求)等環(huán)境中額定電壓為0.6/1KV及以下控制系紡的信號傳輸線路。

產(chǎn)品型號: HKRJE--K3HKYJGE-K3HKYJGEP-K3

所屬分類:核電站用電纜

更新時間:2017-04-17

詳細(xì)說明:

品牌TIANKANG/天康集團(tuán)

核電站用1E級K3類交聯(lián)聚烯烴絕緣,聚烯烴護(hù)套低煙無鹵阻燃控制電纜

本產(chǎn)品照Q/3204AJR05-2001標(biāo)準(zhǔn)制造。
本產(chǎn)品阻燃特性符合GB/T18380.3(IEC332-3)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定。
本產(chǎn)品的低煙無鹵特性符合GB/T17651(IEC61034)、GB/T17650、2(IEC60754-2)標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定。
本產(chǎn)品主要技術(shù)指標(biāo)符合RCC-E、IEEE383、IEC332、IEC60754、IEC61034等標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定。

適用范圍
   本產(chǎn)品適用于核電站以及其他特種領(lǐng)域(即對產(chǎn)品有電氣性能、壽命周期、低鹵、無鹵、阻燃特殊要求)等環(huán)境中額定電壓為0.6/1KV及以下控制系紡的信號傳輸線路。

型號及名稱

 

型號

名         稱

HKRJE--K3

核電站用1E級K3類交聯(lián)聚烯烴絕緣,聚烯烴護(hù)套低煙無鹵阻燃控制電纜。

HKRJEP--K3

核電站用1E級K3類交聯(lián)聚烯烴絕緣,聚烯烴護(hù)套屏蔽型低煙無鹵阻燃控制電纜。

HKYJE-K3

核電站用1E級K3類交聯(lián)聚乙烴絕緣,聚烯烴護(hù)套低煙無鹵阻燃控制電纜。

HKYJEP-K3

核電站用1E級K3類交聯(lián)聚乙烴絕緣,聚烯烴護(hù)套屏蔽型低煙無鹵阻燃控制電纜。

HKRJGE-K3

核電站用1E級K3類交聯(lián)聚烯烴絕緣,隔氧層聚烯烴護(hù)套低煙無鹵阻燃控制電纜。

HKRJGEP-K3

核電站用1E級K3類交聯(lián)聚烯烴絕緣,隔氧層聚烯烴護(hù)套屏蔽型低煙無鹵阻燃控制電纜。

HKYJGE-K3

核電站用1E級K3類交聯(lián)聚乙烴絕緣,隔氧層聚烯烴護(hù)套低煙無鹵阻燃控制電纜。

HKYJGEP-K3

核電站用1E級K3類交聯(lián)聚乙烴絕緣,隔氧層聚烯護(hù)套屏蔽型低煙無鹵阻燃控制電纜。


產(chǎn)品特性
● 電纜額定電壓(Uo/U):06/1KV。
● 電纜導(dǎo)體的長期允許工作溫度:90℃;短路(持續(xù)時間≤5s)溫度250℃。.
● 電纜敷設(shè)時的環(huán)境溫度不低于O℃,敷設(shè)溫度低于0℃時,應(yīng)進(jìn)行預(yù)熱。
● 電纜敷設(shè)時的允許彎曲半徑:
非屏蔽電纜應(yīng)不小于電纜外徑的6倍;
屏蔽電纜應(yīng)不小于電纜外徑的8倍。
● 電纜敷設(shè)后運行時的允許低環(huán)境溫度:-40℃。
● 電纜的正常使用壽命:50年。
● 電纜的特殊性能:
(l)電纜能經(jīng)受GB/T18380.3(IEC332-3)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的成束燃燒試驗。
(2)電纜的絕緣線芯能經(jīng)受GB/T18380.1(IEC332一l)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的垂直燃燒試驗。
(3)電纜的低煙性能符合GB/T17651(IEC61034)標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定:透光率≥60
(4)電纜的低鹵性能符合GB/T17650.2(IEC60754-2)標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定:pH ≥43,電導(dǎo)率<10μs/mm。
● 電纜的電氣性能:
(l)電纜能經(jīng)受AC 3500V/5min耐電壓試驗不擊穿。
(2)電纜的導(dǎo)體電阻率P20不大于0.Ol72410Ω·mm2/m。
(3)電纜的絕緣電阻常數(shù):K20不小于3670MΩ·kM、K60不小于367MMΩ·kM、K90不小于36MΩ·kM。



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